2025. 3. 28. 17:08ㆍ카테고리 없음
1983년, 당시 삼성그룹 부회장이던 이건희는 일본 출장 중 소니의 모리타 아키오 회장에게서 "메모리 반도체가 미래 산업"이라는 말을 듣게 된다.
귀국 후 곧바로 반도체 산업 진출을 선언하며 "반도체 사업을 하지 않는다면 삼성은 미래가 없다"라고 말하였다.
당시 삼성의 핵심 임원들도 반대했지만, 이병철 회장이 결단을 내리면서 본격적인 투자 시작하게 된다.
1983년 12월 8일, 삼성은 불과 6개월 만에 64Kb DRAM 개발에 성공하게 되는데 일본이 수년간 걸린 기술을 6개월 만에 따라잡았다고 해서 "마하 1 프로젝트"라고 불리었다.
하지만 처음에는 기술력이 부족해 일본, 미국 기업들로부터 "삼성은 메모리 반도체를 못 만든다"는 평가를 받기도 하였다.
그러나 1984년 64Kb DRAM 양산에 성공을 하게 되고 결국 한국 반도체 산업 본격 시작을 알리게 되었다.
1992년, 삼성은 세계 최초로 64Mb DRAM 개발 성공을 하게 된다.
이때까지는 미국(IBM, 모토로라), 일본(NEC, 히타치)이 반도체 시장을 장악하고 있던 시절이었다.
하지만 삼성은 미국, 일본보다 1년 이상 빠르게 64Mb DRAM을 개발하며 세계 1위로 올라서게 된다.
이후 1994년 256Mb DRAM, 1996년 1Gb DRAM 개발에 성공하며 시장을 독점하기 시작하였다.
이건희 회장은 삼성 반도체 연구진에게 "무조건 3개월마다 신제품을 내놓으라"고 주문하는 고집을 부렸다.
당시 일본은 2~3년에 한 번씩 DRAM을 개발했지만, 삼성은 매년 신제품을 출시하며 시장을 장악하게 된다.
결국 삼성은 "3개월 프로젝트" 덕분에 경쟁사보다 항상 반 발짝 앞서가게 되는 놀라운 결과를 불러온다.
반면 현대그룹의 정주영 회장은 삼성의 성공을 보고 "우리도 반도체 해야 한다"며 1989년 반도체 산업 진출을 한다.
1993년 256Mb DRAM 개발, 2000년대 초반 1Gb DRAM까지 개발하며 글로벌 경쟁 시작을 알렸다.
하지만 1997년 IMF 외환위기 때 자금난으로 어려움 겪게된다.
2000년대 초, 현대전자는 심각한 경영난을 겪으며 사실상 파산 위기에 몰려 2001년, 하이닉스로 사명 변경 후 채권단 관리 체제 돌입한다.
2012년 SK그룹이 인수하면서 "SK하이닉스"가 탄생한 것이다.
이후 낸드플래시, D램에서 지속적인 투자를 이어가며 현재 세계 2위 반도체 기업으로 성장하고 있다.
결국 우리나라 두기업은 2010년대 이후 삼성 vs SK하이닉스라는 메모리 전쟁에 돌입한다.
2010년대 이후 D램과 낸드플래시 시장에서 삼성과 SK하이닉스가 글로벌 시장의 70% 이상을 차지하게 되었고 특히 2018년에는 전 세계 반도체 기업 중 삼성이 인텔을 제치고 1위를 기록한다.
SK하이닉스도 3D 낸드플래시 기술 개발에 성공하며 미국 마이크론과 경쟁하였다.
2023년, 삼성은 세계 최초 12나노급 DDR5 DRAM 개발 성공한다.
1나노(nm)가 10억 분의 1미터이고 머리카락 두께의 약 10만 분의 1에 해당한다.
즉. 수치가 작아질 수록 트랜지스터 크기가 작아지고 직접도가 높아져 엄청나게 미세한 공정에 해당한다.
따라서 고속 메모리를 구현함으로써 고성능 컴퓨팅이나 AI서버 및 5G, 빅데이터 등 활용분야에서 상당한 효율을 자랑하게 되는 셈이다.
3D 낸드플래시 적층 기술을 활용해 초고속 저장장치(SDD) 시장을 선도하는 기업이 되었다,
SK하이닉스는 엔비디아와 협력해 HBM(High Bandwidth Memory) 시장에서 강력한 입지 확보하였고 AI 반도체 시장이 급성장하면서, HBM 수요가 폭발적으로 증가하게 된다.
2025년 기준 SK하이닉스는 HBM3(차세대 메모리) 시장 점유율 1위 유지 중이다.